张信莉
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王栋
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陈莲芳
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路春美
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熊志波
工程热物理学报
采用共沉淀法制备一系列Fe1-xMnxOz(x为Mn物质的量比,x=0、0.1、0.3、0.5)磁性催化剂,考察Mn掺杂对γ-Fe2O3催化剂低温SCR脱硝活性的影响规律.结果表明,Mn掺杂能显著提高γ-Fe2O3的低温SCR脱硝活性,并拓宽其活性温度窗口;Fe0.7Mn0.3Oz催化剂的低温SCR脱硝活性最高,在125～200℃其NOx转化率约为100％.N2吸附及XRD分析结果表明,Mn的掺杂能优化γ-Fe2O3催化剂的孔隙结构及孔径分布,增大其比表面积和比孔容,并与催化剂中铁氧化物相互作用形成良好固溶体,从而提高γ-Fe2O3催化剂的低温SCR活性.
关键词:
Mn掺杂
,
磁性γ-Fe2O3催化剂
,
NOx转化率
,
低温SCR脱硝活性
蒋联娇
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符斯列
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秦盈星
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李健翔
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.12.023
基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法分别计算了 VGa和 VN 距掺入 Mn 原子为近邻、次近邻、远近邻各3种情况下GaN体系的电子结构和光学性质,分析比较了空位的不同位置对 Mn 掺杂 GaN 体系磁性的影响。计算结果表明,Mn掺杂会导致GaN体系带隙增大且体系表现为半金属铁磁性；VN 的存在会增强缺陷复合物体系的铁磁性,且随着VN 相对杂质Mn距离越近,体系总磁矩增加；而VGa的存在会降低缺陷复合物体系的铁磁性,且随Ga空位相对杂质Mn距离越近,体系总磁矩减少。不同位置的VGa和VN 均会导致缺陷复合物体系主吸收峰和光吸收边相对于单Mn掺杂而言向低能方向移动,出现红移现象。
关键词:
GaN晶体
,
Mn掺杂
,
空位
,
电子结构
,
光学性质
宋庆功
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杨宝宝
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赵俊普
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秦国顺
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郭艳蕊
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胡雪兰
中国有色金属学报
采用密度泛函理论计算研究Zr和(或)Mn替位掺杂γ-TiAl形成的8个合金体系的几何结构、形成能、弹性模量、能带结构和重叠布居数等.结果表明:各个掺杂体系的总能量和原子平均形成能均是负值,表明它们具有较好的能量稳定性、在特定条件下是可以实验制备的.Zr或(和)Mn单(双)替位掺杂可以改善此类γ-TiAl基合金体系的轴比(R)和弹性模量比(B/G),特别是Ti12Al11Zr、Ti12Al11Mn、Ti11MnAl11Zr和Ti11ZrAl11Mn的轴比更接近于1,B/G接近1.75,预报这4个掺杂体系均具有较好的延性.这为探索改善γ-TiAl基合金的延性提供了理论依据.根据对典型掺杂体系电子性质和重叠布居数分析,发现Zr和Mn掺杂使体系的共价键强度降低、金属键强度增强,从而提高了面间的可动性,有利于改善合金的延性.
关键词:
γ-TiAl基合金
,
Zr掺杂
,
Mn掺杂
,
延性
,
电子性质
,
第一性原理
